大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于背照式cmos的问题,于是小编就整理了5个相关介绍背照式cmos的解答,让我们一起看看吧。
背照式cmos和cmos对比?
索尼自家生产的背照式CMOS就命名为ExmorRCMOS,这个命名主要是为了提升索尼产品的竞争力。可以说目前的主流产品都是采用本款产品,包括iphone5、三星GalaxyS3、Note2以及LT26ii。虽然之前iphone4是由OmniVision提供的,但是到了iphone4s就果断换为索尼供货了,而这也是从客观层面上,反应出索尼摄像头的先进性。 那么为何索尼的背照式CMOS镜头如何优异呢?这个还是要归功于前面提到的工艺问题,由于SOI晶圆有利于研磨打薄,越薄就越易于采光,采光能力出色,就可以得到更好的成像效果。其他厂商,如三星、OmniVision等,大部分使用的是普通硅晶圆(体硅晶圆)。厚度上,SOI晶圆可以做到体硅晶圆的1/30左右,成像效果优势可想而知。但是它的成本也要高出3-4倍,总体下来,索尼背照式CMOS的价格也并不低。 堆栈式CMOS(exmorRSCMOS) 而为了提高索尼自家产品的认知度,其也是为自家的背照式CMOS镜头起了名字,名字就是ExmorRCMOS,而这样的镜头在lt26i的发布上也是进行重点介绍。可以说索尼的exmorRCMOS奠基了良好的口碑,所以索尼也在谋划生产新一代的产品。而这个就是我们今天要重点介绍的堆栈式CMOS镜头,其英文学名为exmorRSCMOS,可以看到相比起来多了一个S(stack),也就是stackedCMOS,当然你也可以把他理解为积层式CMOS镜头。 所以根据产品的特性来说,可以将堆栈式CMOS传感器看做背照式CMOS传感器的衍生产品。全新的传感器将之前的电路组件放置在了感光组件下方,直观的优点就是为设备内提供了更多的空间。从而在性能上得到提升的同时,也更加的微小化。所以堆栈式CMOS虽然来源于背照式CMOS,但是却高于背照式CMOS. 而由于目前只有索尼能生产堆栈式CMOS镜头,虽然索尼的下一代旗舰yuga将采用堆栈式CMOS镜头,但是由于该机型目前还没有发布,所以oppofind5也是顺理成章的成为了全球第一款采用堆栈式CMOS镜头的机型。所以这一技术在手机镜头领域是拥有划时代意义的。
两者对比区别在于:
1、成像质量不同。低光照条件下,CMOS因而光线越弱成像越差。而背照式CMOS低光照条件下的拍摄效果更好;
2、高感光度表现不同。高感光度条件下,背照式CMOS对弱光的捕捉能力更厉害,因而高感也就更强大,而CMOS对弱光的扑捉能力比背照式CMOS差,高感也就弱;
3、白天拍照堆栈式好,暗光下拍照背照式好。
背照式cmos是什么意思?
索尼自家生产的背照式CMOS就命名为ExmorRCMOS,这个命名主要是为了提升索尼产品的竞争力。可以说目前的主流产品都是采用本款产品,包括iphone5、三星GalaxyS3、Note2以及LT26ii。虽然之前iphone4是由OmniVision提供的,但是到了iphone4s就果断换为索尼供货了,而这也是从客观层面上,反应出索尼摄像头的先进性。 那么为何索尼的背照式CMOS镜头如何优异呢?这个还是要归功于前面提到的工艺问题,由于SOI晶圆有利于研磨打薄,越薄就越易于采光,采光能力出色,就可以得到更好的成像效果。其他厂商,如三星、OmniVision等,大部分使用的是普通硅晶圆(体硅晶圆)。厚度上,SOI晶圆可以做到体硅晶圆的1/30左右,成像效果优势可想而知。但是它的成本也要高出3-4倍,总体下来,索尼背照式CMOS的价格也并不低。 堆栈式CMOS(exmorRSCMOS) 而为了提高索尼自家产品的认知度,其也是为自家的背照式CMOS镜头起了名字,名字就是ExmorRCMOS,而这样的镜头在lt26i的发布上也是进行重点介绍。可以说索尼的exmorRCMOS奠基了良好的口碑,所以索尼也在谋划生产新一代的产品。而这个就是我们今天要重点介绍的堆栈式CMOS镜头,其英文学名为exmorRSCMOS,可以看到相比起来多了一个S(stack),也就是stackedCMOS,当然你也可以把他理解为积层式CMOS镜头。 所以根据产品的特性来说,可以将堆栈式CMOS传感器看做背照式CMOS传感器的衍生产品。全新的传感器将之前的电路组件放置在了感光组件下方,直观的优点就是为设备内提供了更多的空间。从而在性能上得到提升的同时,也更加的微小化。所以堆栈式CMOS虽然来源于背照式CMOS,但是却高于背照式CMOS. 而由于目前只有索尼能生产堆栈式CMOS镜头,虽然索尼的下一代旗舰yuga将采用堆栈式CMOS镜头,但是由于该机型目前还没有发布,所以oppofind5也是顺理成章的成为了全球第一款采用堆栈式CMOS镜头的机型。所以这一技术在手机镜头领域是拥有划时代意义的。
堆栈式CMOS什么意思?和背照式CMOS有何区别?
1、堆栈式CMOS的感光二极管在电路晶体管后方,进光量会因受到遮挡而减少,因而光线越弱成像越差。而背照式CMOS就是将电路晶体管和感光二极管的位置调转,光线首先进入感光二极管,这样就增大了感光量,从而显著提高低光照条件下的拍摄效果;
2、背照式CMOS接收的是经过感光二极管放大的光元素,一个像素点的面积可以被放大,所以背照式CMOS对弱光的捕捉能力更厉害,因而高感也就更强大,而堆栈式CMOS是先接收光元素后再由感光二极管进行工作,一个像素点的面积不会变大,因而对弱光的扑捉能力比背照式CMOS差,高感也就弱;
3、虽然堆栈式CMOS的高感不如背照式CMOS,但堆栈式CMOS接收的像素点是原始像素点,而背照式CMOS接收的放大后的像素点,因而在低感光度下堆栈式CMOS的锐度更高,而高感下背照式CMOS的噪点更少。
堆栈式CMOS的意思是使用有信号处理电路的芯片替代了原来背照CMOS图像传感器的支持基板,在芯片上重叠形成背照CMOS元件的像素部分,从而实现了在较小的芯片尺寸上形成大量像素点的工艺。
堆栈式CMOS和背照式CMOS区别在于特点不同,堆栈式特点是将感光二极管掉转方向,让光线首先进入感光二极管,从而增大感光量,显著提高低光照条件下的拍摄效果。
背照式的cmos拥有更高的宽容度(可以被理解为高光部分不容易溢出。
堆栈式和背照式是两码事,是不相干的两种结构方式。堆栈式主要是为了减小体积,当然画质也有所优化;而背照式是针对画质改进而做的一种设计。
exmor rs堆栈式cmos传感器是由背照式cmos传感器发展而来,新传感器将原本需紧靠感光组件的电路部份置于感光组件的下方,使得设备内部拥有更多的空间。在实现功能多样化的同时,还做到了小型化。本质上讲,堆栈式cmos是源于背照式cmos,而高于背照式cmos。
CMOS传感器电极分布的事情背照式镜头虽然电极被移到背后了, 但是表面还留了一些电极堆栈式镜头则表面一点电极都没有了因此感光面积堆栈式镜头更大一些。
富士背照式和堆栈式cmos哪个好?
堆栈式cmos好
在芯片上重叠形成背照CMOS元件的像素部分,从而实现了在较小的芯片尺寸上形成大量像素点的工艺。由于像素部分和电路部分分别独立,因此像素部分可针对高画质优化,电路部分可针对高性能优化。
传感器尺寸:(1/1.7)英寸背照式CMOS和传感器尺寸:(1/2.3)英寸CMOS有什么区别啊?
传感器越大,画质越好。1/1.7比1/2.3大(分母越大,分数越小),所以1/1.7的画质比1/2.3的好。
光圈这个问题还要看焦距的,如果这两个数字,前面那个表示这个镜头广角端的最大光圈,后面那个数字是长焦端的光圈。
焦距越长,要得到大光圈越困难,镜头的造价越高,所以如果焦距相同,那F2.0-5.9就比F3.4-5.6的好,如果焦距不同,那就没法这样比了。
光圈越大,相同光线条件下,快门就可以越快,照片越不容易糊掉,越容易抓拍快速运动的物体,景深越小,最大可用光圈越大。
到此,以上就是小编对于背照式cmos的问题就介绍到这了,希望介绍关于背照式cmos的5点解答对大家有用。
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